삼성전자가 ‘50나노급 2GB DDR3 D램’ 제품에서 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다.
인증받은 제품은 2GB DDR3 D램 단품(x8) 및 PC용 4GB UDIMM (Unbuffered DIMM) 모듈 제품이다. ‘50나노급 2 GB DDR3’는 2007년 삼성전자가 개발한 60나노 2 GB DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 1.333Gbps(1,333Mbps)의 속도를 구현한다.
1GB DDR3 단품을 탑재한 모듈에 비해 D램 단품의 개수를 반으로 구성할 수 있어 40% 이상 전력을 절감할 수 있다.
'2GB DDR3 D램'은 DDR2 D램 대비 크기가 축소돼 별도의 적층 기술 없이 8GB RDIMM, 4GB SODIMM/UDIMM 제품 양산이 가능하다.
한편 반도체 시장 조사 기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장은 Bit 기준으로 전체 D램 시장에서 '09년 29%, '11년 75% 규모로 성장하고, DDR3 D램 중 2GB 비중도 Bit(1Gb) 기준으로 각각 '09년 3%, '11년 33%를 차지할 것으로 전망됐다.
다나와 정소라 기자 ssora7@danawa
